즉각적인 파기 검사기 정밀하게 오픈 서킷 단회로 및 오차를 감지

기능

• 시험 프로젝트 관리: 새로운 프로젝트, 로딩 프로젝트, 프로젝트 관리 및 기타 기능을 포함하여 500 종류의 설정 항목을 범주별로 관리 할 수 있습니다.
• 네트워크 세그먼트 관리: 여러 가지 테스트 세그먼트가 구성될 수 있으며 각 테스트 세그먼트는 다양한 유연한 테스트를 용이하게 하기 위해 다른 테스트 매개 변수를 사용합니다.
• 시스템 기능 모듈: 시스템 자체 테스트, 포인트 검색, 멀티미터 기능, 자기 학습 기능, 포인트 보고 기능 등
• 시험 기능: 낮은 전압 테스트, 단열 테스트, 저항 전압 테스트 등을 포함하여
• 데이터 저장 및 질의 기능: 테스트를 완료 할 때마다 데이터 보고서는 인쇄 될 것이며 보고서 형식이 정의 될 수 있으며 PDF 및 WORD 형식이 지원됩니다.
• 바코드 인쇄 기능: 제품에 따라 바코드를 사용자 정의하고 인쇄 할 수 있습니다.
• 사용자 관리: 이 시스템은 관리자, 프로그래머 및 운영자라는 세 가지 사용자 관리 수준을 지원합니다. 관리자는 시스템의 모든 기능에 액세스 할 수 있습니다.프로그래머는 프로젝트 구성을 관리할 수 있습니다.· 운영자는 단지 프로젝트를 로드하고 테스트 할 수 있습니다.

테스트 데이터

• 기본 매개 변수:
  • 모델:사이머5000,사이머5000S
  • 측정 방법: 2선 + 4선
  • 최대 시험점 수: 1024, 512
  • AC고전압30~1000V
  • DC고전압30~1500V
  • 고전압 출력 정확성: ±5%
  • 고전압 측정 정확성:±5%
  • 고압 측정 시간: 0.01s - 60s
  • 짧은 휴식 / 일시적인 짧은 휴식 / 빠른 짧은 휴식: 2 kΩ-200kΩ (리레 보드 모델: SAIMR5000-ChanelBoard-V3.02)
  • 두 개의 전선 전원 저항: 0.1Ω-1MΩ
  • 테스트 범위: 10μΩ-1MΩ
  • 4선 전도 시험 전류:≤1A
  • AC 고전압 누출 전류10μA~10mA
  • DC 고전압 누출 전류1μA-5mA
  • DC 고전압 단열: 1MΩ-10GΩ
  • 레벨 신호: 0.5~10V
  • 현재 신호: ≤10mA
  • 용량 측정 범위: 10pF-100μF
  • 저항 테스트 범위: 100mΩ-20MΩ
  • 인덕턴스 테스트 범위10nH~100H
  • 주파수 신호: 50Hz/60Hz, 100Hz/120Hz/1kHz/10kHz
  • 범위 모드: AUTO/HOLD
  • 다이오드/규제기 시험 범위: 1~10V
  • 시험 신호: 1mA
  • 일방적인 테스트: 일방적인 테스트가 가능합니다.
  • 짧은 단절의 최종점 판단: 짧은 휴식의 끝점이 결정될 수 있습니다.
  • 프로그램 가능한 연속 테스트/자동 탐지/자동 진단:고급 기능 아이템
  • 테스트 스캔 모드: 자동 / 수동 / 외부
  • 측정 신호: 저전압 측정 신호
  • 기억력: 최대 500개의 테스트 설정을 저장할 수 있습니다.
  • OS 전압: 5V
  • 제어판: 캘리브레이션/메트로로지
  • 무게17kg ((5000S)/22kg ((5000)
  • 크기 (단위: mm):483265510 (5000) / 483183510 (5000S)
• 정확성:
  • 온도: 20±3°C
  • 습도 수준:<60%RH
  • 단열 정확성1MΩ~100MΩ:±2%;100MΩ~1GΩ:±5%;1GΩ~10GΩ:±10%
  • 가열 시간: 15분 이상
  • 캘리브레이션 시간: 1년 이하
  • 테스트 항목: OS 테스트, 2선 저항 측정, 4선 저항 측정, DC 저항 테스트, LCR 테스트, 다이오드 테스트, 단열 테스트, AC 누출 테스트, DC 누출 테스트,AC 전압 소스, 단열/대압원, 저전압 신호원, 저전압 테스트 시밍 타임, 단열/대압 테스트 시밍 타임
  • 영역2k -200k (리레 보드 모델):) SAIMR5000-ChanelBoard-V3.02),0.1 ~ 1M, 10 ~ 1M,0.1 ~1M,10pF~100uF,100m -20M,1~10V,1M ~10G,10A~10mA,1A~5mA,30~1000V AC ((50/60Hz),30~1500V DC,5V/10mA,10ms ~ 200s,0.1 ~ 500
  • 기본 정밀도:±5%,±0.5%+0.05,±0.2%+5,<100k:±1% >100k:5%,±2%,±2%±0.2V,1M ~100M:±2% 100M ~1GQ:±5% 1G ~10GQ:±10%,±3%,±3%,±3%,±3%,±3%,±1%,±1%